侧面粗化的发光二极管及其制作方法 | |
谢海忠 ; 张逸韵 ; 王兵 ; 杨华 ; 李璟 ; 伊晓燕 ; 王军喜 ; 王国宏 ; 李晋闽 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体器件 |
公开日期 | 2012-07-18 |
申请日期 | 2012-03-02 |
专利申请号 | CN201210052920.9 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25352] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢海忠,张逸韵,王兵,等. 侧面粗化的发光二极管及其制作方法. |
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