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| 防止钝化层过刻蚀的方法 专利
专利号: CN201110284796.4, 申请日期: 2015-11-04, 公开日期: 2013-04-03
作者: 李博 ; 白云; 唐益丹; 刘焕明; 周静涛
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| SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201110380662.2, 申请日期: 2014-08-13, 公开日期: 2012-05-02
作者: 汤益丹; 白云; 李博; 刘新宇; 周静涛
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| 一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法 专利
专利号: CN201010574100.7, 申请日期: 2014-01-08, 公开日期: 2012-06-06
作者: 吴德馨; 申华军; 刘洪刚; 刘焕明; 杨成樾
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| 采用三维排气孔装置的SOI/III-V整片晶片键合方法 专利
专利号: CN201010574339.4, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2012-06-06
作者: 刘焕明; 申华军; 周静涛; 刘新宇; 杨成樾
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| 一种应用于总磷检测的倏逝波光传感测试系统及方法 专利
专利号: CN201010217202.3, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2011-12-28
作者: 周静涛; 刘新宇; 申华军; 杨成樾; 刘焕明
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| 基于光子晶体自准直效应的光模数转换器量化方法 专利
专利号: CN201010504162.0, 申请日期: 2013-08-21, 公开日期: 2012-05-09
作者: 杨成樾; 申华军; 刘新宇; 周静涛; 刘焕明
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| 多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法 专利
专利号: CN201110412636.3, 申请日期: 2013-08-14, 公开日期: 2012-05-09
作者: 申华军; 刘新宇; 杨成樾; 刘焕明; 周静涛
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| SiC肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201110380007.7, 申请日期: 2013-05-22, 公开日期: 2012-03-14
作者: 周静涛; 杨成樾; 李博; 汤益丹; 申华军
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| 一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法 专利
专利号: CN102810465, 申请日期: 2012-12-05,
作者: 周静涛; 李博; 申华军; 白云; 汤益丹
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| 具有可插拔结构的透镜光纤、透镜光纤阵列及其制备方法 专利
申请日期: 2011-04-21, 公开日期: 2012-11-20
作者: 申华军; 刘焕明; 周静涛; 杨成樾
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