本发明公开了一种浮空金属环辅助结终端延伸结构的SiC肖特基二极管器件。其结构包括N+-SiC衬底和同型N--SiC外延层；在N--SiC外延层上有肖特基接触；在肖特基结的边缘为P--SiC作为结终端延伸区域；在P--SiC的JTE区域表面有浮空金属环，该金属环与P--SiC形成肖特基接触；在N+-SiC衬底背面有N型欧姆接触。其制作方法是：在N+-SiC衬底上生长N--SiC外延层；在N--SiC外延层上制作P--JTE区；在N+-SiC衬底上制备欧姆接触；在N--SiC外延层上生长SiO2、肖特基接触及加厚。本发明制作的SiC肖特基二极管可降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度，且工艺制备过程相对简单，该器件可用于开关电源PFC电路，DC/DC、AC/DC、DC/AC变换器等。