| 一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法 | |
吴德馨 ; 申华军; 刘洪刚; 刘焕明; 杨成樾; 周静涛; 刘新宇
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| 2014-01-08 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN201010574100.7 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法。该方法采用P离子注入诱导实现多量子阱能带混杂，包括以下过程：在进行III-V族外延时增加一层扩散缓冲层；生长一层氧化硅并进行标准光刻，刻蚀出注入窗口；进行P离子注入工艺；进行第一次快速退火后处理工艺，使注入区产生带隙波长的蓝移；利用标准光刻工艺，刻蚀掉部分区域的扩散缓冲层；进行第二次快速退火后处理工艺，使保留扩散缓冲层在原来的基础上再次产生带隙波长的蓝移，在具有相同量子阱结构的III-V族外延片上形成了具有三种不同带隙波长的区域。本发明为基于硅基异质光电集成技术的芯片内光互连系统中不同III-V族有源器件集成提供了材料基础。 |
| 公开日期 | 2012-06-06 |
| 申请日期 | 2010-12-06 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12958]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴德馨,申华军,刘洪刚,等. 一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法. CN201010574100.7. 2014-01-08. |
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