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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制 期刊论文 半导体学报, 2003 杨国勇; 霍宗亮; 王金延; 毛凌锋; 王子欧; 谭长华; 许铭真 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 应力感应漏电流  热载流子应力  超薄栅氧化层  MOS器件  SILC  hot carrier stress  ultra-thin gate oxide  MOSFET   一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法 期刊论文 半导体学报, 2003 杨国勇; 王金延; 霍宗亮; 毛凌锋; 谭长华; 许铭真 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/10/23 MOS器件  氧化层陷阱  界面陷阱  热载流子退化  阈值电压  MOS device  oxide trap  interface trap  hot-carrier degradation  threshold voltage   热载流子应力下超薄栅pMOS器件氧化层陷阱电荷的表征 期刊论文 半导体学报, 2003 杨国勇; 王金延; 霍宗亮; 毛凌锋; 谭长华; 许铭真 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 MOS结构  氧化层陷阱  热载流子退化  MOS structure  oxid trap  hot-carrier degradation   一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法 期刊论文 半导体学报, 2003 杨国勇; 毛凌锋; 王金延; 霍宗亮; 王子欧; 许铭真; 谭长华 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/10/23 热载流子应力  LDD结构  超薄栅氧化层  两步退化机制  hot-carrier stress  LDD  ultra-thin gate oxide  two-step degradation   利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究 期刊论文 半导体学报, 2002 霍宗亮; 杨国勇; 许铭真; 谭长华; 段小蓉 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/10/23 隧穿  MOS器件  比例差分算符  tunneling  metal-oxide-semiconductor device  proportional difference operator