一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.005

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法; An Improved Method to Extract Generation of Interface Trap in Hot-Carrier-Stressed LDD n-MOSFET
	杨国勇 ; 毛凌锋 ; 王金延 ; 霍宗亮 ; 王子欧 ; 许铭真 ; 谭长华
刊名	半导体学报
	2003
关键词	热载流子应力 LDD结构超薄栅氧化层两步退化机制 hot-carrier stress LDD ultra-thin gate oxide two-step degradation
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.005
英文摘要	提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法,用于提取LDD n-MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生.这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用.采用这种方法可以准确地确定界面陷阱在沟道区与漏区的产生,从而有利于更深入地研究LDD结构器件的退化机制.; A new improved technique,based on the direct-current current-voltage and charge pumping methods,is proposed for measurements of interface traps density in the channel and the drain region for LDD n-MOSFET.This technique can be applied to virgin samples and those subjected to hot carrier stress,and the latter are known to cause the interface damage in the drain region and the channel region.The generation of interface traps density in the channel region and in the drain region can be clearly distinguished by using this technique.; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 8; 803-808; 24
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/24249]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	杨国勇,毛凌锋,王金延,等. 一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法, An Improved Method to Extract Generation of Interface Trap in Hot-Carrier-Stressed LDD n-MOSFET[J]. 半导体学报,2003.
APA	杨国勇.,毛凌锋.,王金延.,霍宗亮.,王子欧.,...&谭长华.(2003).一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法.半导体学报.
MLA	杨国勇,et al."一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法".半导体学报 (2003).