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| 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 会议论文
第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集, 2008-12
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生
  收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2012/01/18 |
| 用于III-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101295753, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29
谢正生; 吴惠桢; 劳燕锋; 刘成; 曹萌; 黄占超
收藏 | 浏览/下载：61/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: S1
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 期号: 04
刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 吴惠桢
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文
半导体学报, 2008, 期号: 11
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生; 龚谦
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2012/01/06
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| InP/空气隙结构的制作与特性 期刊论文
光电子.激光, 2008, 期号: 09
刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 吴惠桢
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器 会议论文
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2008
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2012/01/18
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| 1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究 会议论文
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2008
曹春芳; 劳燕锋; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生
收藏 | 浏览/下载：46/0 | 提交时间：2012/01/18
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