离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响

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	离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响
	刘成 ; 曹春芳 ; 劳燕锋 ; 曹萌 ; 吴惠桢
刊名	半导体学报
	2008
期号	04
关键词	湿法腐蚀 GaAs InGaP 柠檬酸
ISSN号	0253-4177
中文摘要	采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51623]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘成,曹春芳,劳燕锋,等. 离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响[J]. 半导体学报,2008(04).
APA	刘成,曹春芳,劳燕锋,曹萌,&吴惠桢.(2008).离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响.半导体学报(04).
MLA	刘成,et al."离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响".半导体学报 .04(2008).