基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器

	基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器
	劳燕锋 ; 曹春芳 ; 吴惠桢 ; 曹萌 ; 刘成 ; 谢正生
	2008-12
会议名称	第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集
会议日期	2008-12
中文摘要	以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO_2/TiO_2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p~+-InP/n~+-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75 mA,最高连续
会议录	第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集
会议录出版者	半导体技术杂志社
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56642]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	劳燕锋,曹春芳,吴惠桢,等. 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器[C]. 见:第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集. 2008-12.