键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器

	键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器
	劳燕锋 ; 曹春芳 ; 吴惠桢 ; 曹萌 ; 刘成 ; 谢正生 ; 龚谦
刊名	半导体学报
	2008
期号	11
关键词	六方ZnO晶体薄膜立方MgZnO晶体薄膜紫外光致荧光谱(UVPL) X射线光电子能谱(XPS)
ISSN号	0253-4177
中文摘要	设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定义电流限制孔径和沉积介质薄膜DBR等关键器件工艺,研制出InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器,其阈值电流为13.5mA,单模激射波长为1288.6nm.
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51718]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	劳燕锋,曹春芳,吴惠桢,等. 键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器[J]. 半导体学报,2008(11).
APA	劳燕锋.,曹春芳.,吴惠桢.,曹萌.,刘成.,...&龚谦.(2008).键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器.半导体学报(11).
MLA	劳燕锋,et al."键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器".半导体学报 .11(2008).