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III-V nitride substrate boule and method of making and using the same 专利
专利号: US7915152, 申请日期: 2011-03-29, 公开日期: 2011-03-29
作者:  VAUDO, ROBERT P.;  FLYNN, JEFFREY S.;  BRANDES, GEORGE R.;  REDWING, JOAN M.;  TISCHLER, MICHAEL A.
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Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate 专利
专利号: US7071087, 申请日期: 2006-07-04, 公开日期: 2006-07-04
作者:  YANG, TSUNG-HSI;  LEE, CHUNG-LIANG;  YANG, CHU-SHOU;  LUO, GUANGLI;  CHOU, WU-CHING
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Production method for light emitting element 专利
专利号: US6939731, 申请日期: 2005-09-06, 公开日期: 2005-09-06
作者:  ISHIZAKI, JUN-YA
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Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung 专利
专利号: DE69826046D1, 申请日期: 2004-10-14, 公开日期: 2004-10-14
作者:  ISHIZUMI TAKASHI;  KANEIWA SHINJI
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Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD) 专利
专利号: US6645885, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11
作者:  CHUA, SOO JIN;  LI, PENG;  HAO, MAOSHENG;  ZHANG, JI
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Semiconductor device and method of manufacturing the same 专利
专利号: US6570189, 申请日期: 2003-05-27, 公开日期: 2003-05-27
作者:  KASHIMA, YASUMASA;  MUNAKATA, TSUTOMU
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Cantilever epitaxial process 专利
专利号: US20020090816A1, 申请日期: 2002-07-11, 公开日期: 2002-07-11
作者:  ASHBY, CAROL I.;  FOLLSTAEDT, DAVID M.;  MITCHELL, CHRISTINE C.;  HAN, JUNG
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Metal organic vapor phase epitaxy method and method for manufacturing semiconductor laser device 专利
专利号: US6300153, 申请日期: 2001-10-09, 公开日期: 2001-10-09
作者:  KOUI, TOMOAKI
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Method of manufacturing a semiconductor optical waveguide array and an array-structured semiconductor optical device 专利
专利号: US20010008539A1, 申请日期: 2001-07-19, 公开日期: 2001-07-19
作者:  KUDO, KOJI
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Method of varying a characteristic of an optical vertical cavity structure formed by metalorganic vapor phase epitaxy 专利
专利号: US6258615, 申请日期: 2001-07-10, 公开日期: 2001-07-10
作者:  HOU, HONG Q.;  COLTRIN, MICHAEL E.;  CHOQUETTE, KENT D.
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