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半导体研究所 [146]
内容类型
期刊论文 [133]
会议论文 [13]
发表日期
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Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11-22) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers
期刊论文
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 20787
Guijuan Zhao
;
Lianshan Wang
;
Shaoyan Yang
;
Huijie Li
;
Hongyuan Wei
;
Dongyue Han
;
Zhanguo Wang
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2017/03/10
Dual-wavelength intersubband electroluminescence from double-well active layers in InGaAs/InAlAs quantum cascade structures
期刊论文
applied physics express, 2016, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 052104
Fei Ren
;
Feng-Jiao Wang
;
Shu-Man Liu
;
Zhen-Dong Ning
;
Ning Zhuo
;
Xiao-Ling Ye
;
Jun-Qi Liu
;
Li-Jun Wang
;
Feng-Qi Liu
;
Zhan-Guo Wang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/10
A theory study of the multiplication characteristics of InP/InGaAs avalanche photodiodes with double multiplication layers and double charge layers
期刊论文
optics communications, 2016, 卷号: 374, 页码: 114-118
Guipeng Liu
;
WenjieChen
;
LinshengLiu
;
PengJin
;
YonghuiTian
;
JianhongYang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/03/10
Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with double electron blocking layers
期刊论文
aip advances, 2015, 卷号: 5, 页码: 037131
Yao Guo
;
Meng Liang
;
Jiajia Fu
;
Zhiqiang Liu
;
Xiaoyan Yi
;
Junxi Wang
;
Guohong Wang
;
Jinmin Li
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/04/15
Growth and characterization of AlGaNAlNGaNAlGaN double heterojunction structures with AlGaN as buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2013, 卷号: 383, 页码: 25–29
Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Xun Hou, Zhanguo Wang
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2014/03/18
The influence of the 1st aln and the 2nd gan layers on properties of algan/2nd aln/2nd gan/1st aln/1st gan structure
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Growth and annealing of zinc-blende cdse thin films on gaas (001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 21, 页码: 9038-9043
作者:
Yang, Qiumin
;
Zhao, Jie
;
Guan, Min
;
Liu, Chao
;
Cui, Lijie
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Cdse
Molecular beam epitaxy
Reflection high energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Flattening of low temperature epitaxial ge1-xsnx/ge/si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
作者:
Wang, Wei
;
Su, Shaojian
;
Zheng, Jun
;
Zhang, Guangze
;
Xue, Chunlai
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浏览/下载:121/0
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提交时间:2019/05/12
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
Epitaxial growth of ge0.975sn0.025 alloy films on si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Su Shao-Jian
;
Wang Wei
;
Zhang Guang-Ze
;
Hu Wei-Xuan
;
Bai An-Qi
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2019/05/12
Gesn
Ge
Molecular beam epitaxy
Epitaxial growth
Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:
Wang C
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
Hydrogenated nanocrystalline silicon
Buffer layer
i/p interface
Solar cells
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
A-SI-H
P/I-INTERFACE
MICROCRYSTALLINE SILICON
VAPOR-DEPOSITION
FILMS
CAPACITANCE
EFFICIENCY
CRYSTALLINE
TEMPERATURE
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