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| 石墨烯基场效应晶体管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102184849A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
程新红; 张有为; 徐大伟; 王中建; 夏超; 何大伟; 俞跃辉
  收藏 | 浏览/下载：48/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 基于半导体激光器的光声光谱气体检测及其进展 期刊论文
半导体光电, 2009, 期号: 03
张晓钧; 张永刚
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2012/01/06
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| DEMOS在热载流子应力下的混合失效模式 期刊论文
半导体技术, 2009, 期号: 09
高超; 叶景良
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响 会议论文
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009
王茹; 张正选; 俞文杰; 田浩; 毕大炜; 张帅; 陈明
收藏 | 浏览/下载：45/0 | 提交时间：2012/01/18
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| 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 成果
鉴定: 无, 2007
张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威
收藏 | 浏览/下载：125/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 纳电子相变存储器器件单元的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1779947, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
宋志棠; 刘波; 封松林; 陈邦明
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1779989, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
张恩霞; 张正选; 王曦; 陈静; 孙佳胤
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1763918, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26
张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 准绝缘体上的硅场效应晶体管 成果
鉴定: 无, 2005
未知
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法 成果
鉴定: 无, 2005
王曦
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2013/04/12 |
