| 抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法 | |
| 张恩霞 ; 张正选 ; 王曦 ; 陈静 ; 孙佳胤 | |
| 2006-05-31 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1779989 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及抗辐射加固的特殊体接触的SOIMOSFET及源漏极的注入 方法。其特征在于在绝缘体上硅场效应晶体管结构中，源和漏的结深不同， 漏极深度与顶层硅膜厚度一致，源极的结深小于顶层硅膜的厚度，体从源极 下面与器件末端的体接触相连；对于n型金属氧化物半导体场效应晶体管与 源极相邻的是重掺杂p型区域，用作体接触；且源、漏极分步注入形成。在 浅源极下面引入重掺杂的体接触，这种体接触结构能够大幅度地减少辐射引 起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，而且不用特殊制备氧 化埋层，适用于商业化生产。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-05-31 |
| 申请日期 | 2005-09-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510029987.0 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48245]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张恩霞,张正选,王曦,等. 抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法. CN1779989. 2006-05-31. |
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