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	基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
	张恩霞 ; 张正选 ; 王曦 ; 孙佳胤 ; 钱聪 ; 贺威
	2007
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法,属于微电子技术领域。由此可见,其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时,采用先进行高浓度深注入,再进行较低浓度的浅注入的分步注入方法,在晶体管的体区、靠近顶层硅/隐埋氧化层界面的顶层硅部分,即背沟道引入重掺杂,通过分别调节前沟和背沟的阈值电压;在不影响前沟阈值电压的情况下,提高背沟阈值电压,使背沟区域的硅层很难反型形成沟道,降低背沟漏电流。本发明提供的加固方法能大幅度减少辐射引起
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113746]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	张恩霞,张正选,王曦,等. 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法. 鉴定:无. 2007.

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