| 纳电子相变存储器器件单元的制备方法 | |
| 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 ; 陈邦明 | |
| 2006-05-31 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1779947 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种纳电子相变存储器器件单元的制备方法。本发明采用纳米加工技术在 金属氧化物半导体场效应晶体管的源端或漏端处的相变材料层上制备出柱状小电极，且柱 状小电极底面与相变材料层保持良好接触，然后在柱状小电极周围填充绝热材料层，去除 柱状小电极上覆盖的绝热材料层后，再在柱状小电极上制备引出电极，且柱状小电极顶面 与引出电极保持良好接触，最后通过光刻工艺把两个电极引出，即制备出相变存储器的器 件单元。本发明制备的器件单元是与金属氧化物半导体场效应晶体管直接集成的，同时柱 状小电极的尺寸可以做的很小，可以很 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-05-31 |
| 申请日期 | 2005-10-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510030636.1 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48243]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,刘波,封松林,等. 纳电子相变存储器器件单元的制备方法. CN1779947. 2006-05-31. |
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