注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响

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	注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响
	王茹 ; 张正选 ; 俞文杰 ; 田浩 ; 毕大炜 ; 张帅 ; 陈明
	2009
会议名称	第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期	2009
关键词	总剂量效应氧化物陷阱电荷界面态陷阱电荷注硅工艺改性加固材料抗辐射性能金属氧化物半导体场效应晶体管
中文摘要	采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固，分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件，对器件进行辐照试验，得到ID-VG特性曲线。运用中带电压法对ID-VG特性曲线进行参数提取，进行电荷分离，得到埋氧层中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷信息。结果表明注硅改性工艺在BOX中引入了一定量的固定正电荷，但更重要的是在改性样品的BOX中引入大量电子陷阱，这补偿了辐射感生正空间电荷，抑制了辐射感生的陷阱电荷，最终得到具有优越的抗辐射性能的改性SIMOX材料。
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226018.aspx
会议录	第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55557]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王茹,张正选,俞文杰,等. 注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响[C]. 见:第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会. 2009.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226018.aspx.