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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 罗杰馨 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2013/04/24 绝缘体上的硅  部分耗尽  浮体效应  记忆效应  隧道二极管   PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 贺威 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘体上硅（SOI）  　总剂量辐射效应  　器件模型　   环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2007, 期号: 03 贺威; 张恩霞; 钱聪; 张正选 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 无线传感器网络  信道接入控制协议  低能耗  竞争机制   采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文) 期刊论文 高能物理与核物理, 2007, 期号: 04 贺威; 张正选; 张恩霞; 钱聪; 田浩; 王曦 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI材料  功率器件  LDMOS功率   利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET 期刊论文 半导体技术, 2006, 期号: 07 程新红; 宋朝瑞; 俞跃辉; 袁凯; 许仲德 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 分子束外延(MBE)  Ⅲ/Ⅴ比  二维生长  光致发光(PL)谱