采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文)

	采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文)
	贺威 ; 张正选 ; 张恩霞 ; 钱聪 ; 田浩 ; 王曦
刊名	高能物理与核物理
	2007
期号	04
关键词	SOI材料功率器件 LDMOS功率
ISSN号	0254-3052
中文摘要	采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)的绝缘体上硅(SOI)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅NMOS／SOI晶体管,并对其进行60Coγ射线总剂量辐照试验．通过背栅的I-V特性表征晶体管的总剂量辐照特性．结果表明,在埋氧层注硅可以降低NMOS／SOI受辐照引起的背栅阈值电压漂移,提高埋氧层的抗总剂量能力．
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51304]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	贺威,张正选,张恩霞,等. 采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文)[J]. 高能物理与核物理,2007(04).
APA	贺威,张正选,张恩霞,钱聪,田浩,&王曦.(2007).采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文).高能物理与核物理(04).
MLA	贺威,et al."采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文)".高能物理与核物理 .04(2007).