环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究

	环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究
	贺威 ; 张恩霞 ; 钱聪 ; 张正选
刊名	固体电子学研究与进展
	2007
期号	03
关键词	无线传感器网络信道接入控制协议低能耗竞争机制
ISSN号	1000-3819
中文摘要	采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。实验表明,同样的辐射总剂量条件下,采用改性材料制作的器件与标准SIMOX材料制作的器件相比,阈值电压漂移小得多,亚阈漏电也得到明显改善,说明改性SIMOXSOI材料具有优越的抗总剂量辐射能力。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51109]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	贺威,张恩霞,钱聪,等. 环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究[J]. 固体电子学研究与进展,2007(03).
APA	贺威,张恩霞,钱聪,&张正选.(2007).环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究.固体电子学研究与进展(03).
MLA	贺威,et al."环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究".固体电子学研究与进展 .03(2007).