利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

	利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET
	程新红 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 ; 袁凯 ; 许仲德
刊名	半导体技术
	2006
期号	07
关键词	分子束外延(MBE) Ⅲ/Ⅴ比二维生长光致发光(PL)谱
ISSN号	1003-353X
中文摘要	对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOXSOI片上制备了LDMOS结构的功率器件。器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm。当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA。电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50945]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	程新红,宋朝瑞,俞跃辉,等. 利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET[J]. 半导体技术,2006(07).
APA	程新红,宋朝瑞,俞跃辉,袁凯,&许仲德.(2006).利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET.半导体技术(07).
MLA	程新红,et al."利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET".半导体技术 .07(2006).