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| 一种压印模板 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101770165A, 申请日期: 2010-07-07, 公开日期: 2010-07-07
刘彦伯; 钮晓鸣; 宋志棠; 闵国全; 周伟民; 张静; 万永中; 张挺; 李小丽; 张剑平; 施利毅; 刘波; 封松林
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| 一种SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101655576, 申请日期: 2010-02-24, 公开日期: 2010-02-24
杨志峰; 方娜; 武爱民; 王曦
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| SiSb基相变材料用化学机械抛光液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101586005, 申请日期: 2009-11-25, 公开日期: 2009-11-25
王良咏; 宋志棠; 刘波; 封松林
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| 柱状相变材料纳米阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101567421, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28
冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平
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| 一种纳米级相变存储单元阵列制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101364567, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-02-11
刘彦伯; 钮晓鸣; 宋志棠; 闵国全; 周伟民; 李小丽; 刘波; 万永中; 封松林
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| 压印技术制备超高密度Si_2Sb_2Te_5基相变存储阵列 期刊论文
微纳电子技术, 2009, 期号: 01
刘彦伯; 闵国全; 宋志棠; 周伟民; 张静; 张挺; 万永中; 李小丽; 张剑平
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| SOI基光耦合器与二维光子晶体研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2009
方娜
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| 用于纳米梁自检测及驱动的MOS电容结构研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2009
成海涛
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 相变存储器电子束曝光工艺研究与新结构制备 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2009
吕士龙
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| 用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101226990, 申请日期: 2008-07-23, 公开日期: 2008-07-23
宋志棠; 徐成; 刘波; 封松林
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