压印技术制备超高密度Si_2Sb_2Te_5基相变存储阵列

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	压印技术制备超高密度Si_2Sb_2Te_5基相变存储阵列
	刘彦伯 ; 闵国全 ; 宋志棠 ; 周伟民 ; 张静 ; 张挺 ; 万永中 ; 李小丽 ; 张剑平
刊名	微纳电子技术
	2009
期号	01
关键词	锂离子电池组 PWM控制均衡硬件实现
ISSN号	1671-4776
中文摘要	采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51922]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘彦伯,闵国全,宋志棠,等. 压印技术制备超高密度Si_2Sb_2Te_5基相变存储阵列[J]. 微纳电子技术,2009(01).
APA	刘彦伯.,闵国全.,宋志棠.,周伟民.,张静.,...&张剑平.(2009).压印技术制备超高密度Si_2Sb_2Te_5基相变存储阵列.微纳电子技术(01).
MLA	刘彦伯,et al."压印技术制备超高密度Si_2Sb_2Te_5基相变存储阵列".微纳电子技术 .01(2009).