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题名	相变存储器电子束曝光工艺研究与新结构制备
作者	吕士龙
学位类别	博士
答辩日期	2009
授予单位	中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）
导师	宋志棠
关键词	相变存储器 　电子束曝光 　混合光刻 　新结构 　新型绝热层
学位专业	微电子学与固体电子学
中文摘要	电子束曝光是当前制备微纳器件结构的主要方式之一。本文所使用的电子束曝光系统是由商用扫描电子显微镜（SEM）改装而来，SEM选用Hitachi公司的S-3000系列的电镜，在此基础上加装纳米图形发生器、高精度定位工件台、高速束闸系统从而构成一个小型的电子束曝光系统。论文的主要工作如下：以相变存储器相关材料为基底系统研究单项电子束曝光工艺；电子束曝光与器件制备中其他工艺的集成研究；在工艺集成的基础上制备出几种新型的相变存储器阵列结构，并且测定其相应的电学性能。 当器件结构处于纳米级的时候，电子束曝光过程中产生
语种	中文
公开日期	2012-03-06
内容类型	学位论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82379]
专题	上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	吕士龙. 相变存储器电子束曝光工艺研究与新结构制备[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  . 2009.

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