| 用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法 | |
| 宋志棠 ; 徐成 ; 刘波 ; 封松林 | |
| 2008-07-23 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101226990 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氧化物隔热层可被用于降低相变存储器功耗的材料上的 发现与单元器件结构上的改进及其实现方法，属微电子领域。其特征在于： 在底加热W电极与硫系化合物薄膜层之间加入一氧化物隔热层，隔热层厚度 控制在10nm以下。可选择的氧化物隔热层用材料包括TiO2等。单元结构改 进的实现是通过在衬底上沉积各种所需薄膜后，通过微纳加工技术得到微米 量级的相变操作单元，并引出可供测试性能用上下电极。由于氧化物隔热层 的良好热稳定性、远低于底加热W电极的热导率、与CMOS标准制造工艺 相兼容和提 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-07-23 |
| 申请日期 | 2008-02-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810033519.4 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/47969]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,徐成,刘波,等. 用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法. CN101226990. 2008-07-23. |
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