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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备 期刊论文 半导体技术, 2011, 期号: 02 王新中; 于广辉; 李世国 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/13 氮化镓  阳极氧化铝  铝  电化学  超薄   HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101514484, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 2009-08-26 于广辉; 王新中; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2012/01/06 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101488475, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN外延层和纳米线的制备及表征 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 林朝通 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/06 氮化镓  纳米线  场发射  纳米掩膜  原位腐蚀   利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101350298, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101320686, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2008-12-10 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/01/06 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101229912, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30 王新中; 于广辉; 雷本亮; 林朝通; 王笑龙; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2012/01/06 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101220466, 申请日期: 2008-07-16, 公开日期: 2008-07-16 林朝通; 于广辉; 雷本亮; 王新中; 王笑龙; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1828837, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2006-09-06 雷本亮; 于广辉; 王笑龙; 齐鸣; 孟胜; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/01/06 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1744287, 申请日期: 2006-03-08, 公开日期: 2006-03-08 雷本亮; 于广辉; 齐鸣; 叶好华; 孟胜; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/06