| 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法 | |
| 林朝通 ; 于广辉 ; 雷本亮 ; 王新中 ; 王笑龙 ; 齐鸣 | |
| 2008-07-16 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101220466 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓(GaN)纳米线的方法， 其特征在于采用了金属钨(W)作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过 程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后在N2气氛下经热退火 后就形成了GaN纳米线。金属钨薄膜的引入，作用是生长GaN纳米线的催 化剂，在高温下金属W会发生团聚同时下层的GaN会分解使得金属W层形 成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，同时分生成的金属Ga 和N原子在金属W催化剂的作用下又合成细长的GaN纳米线。这种方法简 单易行 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-07-16 |
| 申请日期 | 2007-12-14 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710172321.X |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/47963]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林朝通,于广辉,雷本亮,等. 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法. CN101220466. 2008-07-16. |
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