GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备

	GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备
	王新中 ; 于广辉 ; 李世国
刊名	半导体技术
	2011
期号	02
关键词	氮化镓阳极氧化铝铝电化学超薄
ISSN号	1003-353X
中文摘要	在草酸溶液中对GaN基板上超薄Al膜进行阳极氧化,结合扫描电镜对阳极氧化铝形貌进行表征,系统研究了超薄Al膜的腐蚀条件和氧化过程,以及Al膜的厚度,反应变化时间和实验难度系数之间的关系。多孔状阳极氧化铝的孔径、分布及有序度等对氧化电压、氧化时间、电解液温度和溶液浓度等参数较为敏感。通过深层次的机理分析,给出了相应的合理解释。在此基础上,优化了超薄阳极氧化铝的制备参数,提升了实验的稳定性及重复性,促进了阳极氧化铝在GaN材料和器件中的应用。
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106959]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王新中,于广辉,李世国. GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备[J]. 半导体技术,2011(02).
APA	王新中,于广辉,&李世国.(2011).GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备.半导体技术(02).
MLA	王新中,et al."GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备".半导体技术 .02(2011).