| 利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法 | |
| 王新中 ; 于广辉 ; 林朝通 ; 曹明霞 ; 巩航 ; 齐鸣 ; 李爱珍 | |
| 2009-01-21 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101350298 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜GaN质量的方法，其特 征在于采用了纳米量级的SiO2、SiO或SixNy等点阵作为GaN外延掩模。在氢 化物气相外延之前，先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学 的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着往孔中注入点阵结构的介质，然 后去除AAO，则模板上得到了均匀分布的SiO2纳米粒子的点阵结构，最后将 模板置于反应腔内外延生长。由于气相外延的选择性，将开始选 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-01-21 |
| 申请日期 | 2008-09-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810042459.2 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48901]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王新中,于广辉,林朝通,等. 利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法. CN101350298. 2009-01-21. |
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