| 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法 | |
| 雷本亮 ; 于广辉 ; 王笑龙 ; 齐鸣 ; 孟胜 ; 李爱珍 | |
| 2006-09-06 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1828837 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)材料中采用多孔GaN作 为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放 入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔 GaN衬底；其次是将上述衬底放入氧化物外延生长反应室，在N2气氛下升温750 -850℃，通NH3保护模板的GaN层，于1000-1100℃开始通HCL进行GaN生长； 本发明仅需采用电化学的方法腐蚀沉积在GaN表面的金属Al层，即可制成多孔 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-09-06 |
| 申请日期 | 2006-01-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610023732.8 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48267]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷本亮,于广辉,王笑龙,等. 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法. CN1828837. 2006-09-06. |
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