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| 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916779A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
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| 一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101789435A, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2010-07-28
程新红; 何大伟; 俞跃辉; 肖德元; 王中健; 徐大朋
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2006, 期号: 04
钱聪; 张恩霞; 贺威; 张正选; 张峰; 林成鲁; 王英民; 王小荷; 赵桂茹; 恩云飞; 罗宏伟; 师谦
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析 期刊论文
温州师范学院学报(自然科学版), 2006, 期号: 02
程新红; 王洪涛; 宋朝瑞; 俞跃辉; 袁凯; 许仲德
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 埋嵌在高k介质中Ce纳米晶的制备及其电荷储存特性的研究 学位论文
硕士, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2005
王石冶
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| 零维Ge和一维ZnO纳米结构与器件 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2004
万青
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| 高量程加速度计的力学性能分析 期刊论文
机械强度, 2002, 期号: 04
王钻开; 宗登刚; 陆德仁
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2012/01/06
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