不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

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	不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
	钱聪 ; 张恩霞 ; 贺威 ; 张正选 ; 张峰 ; 林成鲁 ; 王英民 ; 王小荷 ; 赵桂茹 ; 恩云飞 ; 罗宏伟 ; 师谦
刊名	功能材料与器件学报
	2006
期号	04
关键词	压电调制光谱 InAs/GaAs表面量子点洛伦兹线形拟合
ISSN号	1007-4252
中文摘要	研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50845]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	钱聪,张恩霞,贺威,等. 不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究[J]. 功能材料与器件学报,2006(04).
APA	钱聪.,张恩霞.,贺威.,张正选.,张峰.,...&师谦.(2006).不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究.功能材料与器件学报(04).
MLA	钱聪,et al."不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究".功能材料与器件学报 .04(2006).