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| 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101986435A, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16
肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静
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| 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101950723A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 肖德元; 王曦
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| 基于静电力的微液滴驱动芯片 期刊论文
传感器与微系统, 2011, 期号: 02
刘翔; 高安然; 李铁; 周萍; 王跃林
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2012/04/13
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| 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101924138A, 申请日期: 2010-12-22, 公开日期: 2010-12-22
肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916726A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 肖德元; 王曦
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916776A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 肖德元; 王曦
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 高K栅介质材料的研究现状与前景 期刊论文
材料导报, 2010, 期号: 21
余涛; 吴雪梅; 诸葛兰剑; 葛水兵
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 低温Au-Si键合及压力开关研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2010
荆二荣
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| 掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101582485, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 2009-11-18
刘波; 宋志棠; 张挺; 封松林
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
陈超
收藏 | 浏览/下载：60/0 | 提交时间：2012/03/06
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