| 具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法 | |
| 陈静 ; 罗杰馨 ; 伍青青 ; 肖德元 ; 王曦 | |
| 2010-12-15 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101916776A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法。该SOIMOS器件的源区包括：两个重掺杂N型区、位于两个重掺杂N型区之间的重掺杂P型区、位于两个重掺杂N型区和重掺杂P型区之上的硅化物、以及与该硅化物相连的浅N型区；该重掺杂P型区与其上的硅化物形成欧姆接触，释放SOIMOS器件在体区积累的空穴，从而有效抑制SOIMOS器件的浮体效应，不增加芯片面积，并消除了传统BTS结构降低有效沟道宽度的缺点。制作时先通过离子注入的方法形成重掺杂P型区，再在源区表面形成金属，通过热处理使金属与其下的Si反应生 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-15 |
| 申请日期 | 2010-07-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010225623.0 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49252]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,罗杰馨,伍青青,等. 具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法. CN101916776A. 2010-12-15. |
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