| 抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法 | |
| 陈静 ; 罗杰馨 ; 伍青青 ; 肖德元 ; 王曦 | |
| 2010-12-15 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101916726A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种抑制SOI浮体效应的MOS结构的制作方法。本发明方法制作的SOI?MOS结构，其有源区包括：体区、N型源区、N型漏区、重掺杂P型区；其N型源区由硅化物和与之相连的N型Si区两部分组成；所述重掺杂P型区位于硅化物与绝缘埋层之间，并分别与硅化物、体区、绝缘埋层及浅沟槽隔离结构相接触。制作时先通过离子注入的方法形成重掺杂P型区，再在源区的部分表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的Si材料反应生成硅化物。本发明通过硅化物与下方的重掺杂P区形成欧姆接触，释放SOI?MOS器件在体区积累的空穴，从 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-15 |
| 申请日期 | 2010-07-06 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010220198.6 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49238]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,罗杰馨,伍青青,等. 抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法. CN101916726A. 2010-12-15. |
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