| 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法 | |
| 肖德元 ; 王曦 ; 黄晓橹 ; 陈静 | |
| 2011-03-16 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101986435A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法。该MOS器件结构，包括Si衬底和位于Si衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区与Si衬底之间，以及漏区与Si衬底之间分别设有绝缘埋层，在沟道与Si衬底之间设有SiGe隔层。该MOS器件结构的沟道可以通过SiGe隔层向Si衬底导电导热，防止了器件的浮体效应及自加热效应；在源区及漏区与Si衬底之间保留绝缘埋层，可减小源漏区的寄生电容。该器件结构采用Si\SiGe\Si外延层通过刻蚀、掺杂 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-03-16 |
| 申请日期 | 2010-06-25 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010212134.1 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49588]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖德元,王曦,黄晓橹,等. 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法. CN101986435A. 2011-03-16. |
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