中国开放科研知识云: 检索

具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利
专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07
作者: 赵超; 罗军; 陈大鹏; 叶甜春

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一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者: 刘刚; 刘梦新; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生

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一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 专利
专利号: CN200710064870.5, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2008-10-01
作者: 海潮和; 曾传滨; 李多力; 李晶; 韩郑生

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一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法 专利
申请日期: 2012-01-01,
作者: 朱阳军; 卢烁今; 赵佳; 田晓丽; 吴振兴

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PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 1
作者: 毕津顺; 海潮和

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SOI LDMOSFET的背栅特性 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 5，2148-2152
作者: 毕津顺; 宋李梅; 海潮和; 韩郑生

收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2010/05/27

源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响 期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6，1007-1012
作者: 韩郑生; 宋文斌; 许高博; 曾传滨

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绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究 期刊论文
电子器件, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 4,5_8
作者: 海潮和; 毕津顺; 吴峻峰; 李瑞贞

收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2010/05/26

PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,12_15
作者: 海潮和; 毕津顺

收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/05/26

PDSOInMOSFETs关态击穿特性 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 5,14_18
作者: 毕津顺; 海潮和

收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2010/05/26

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