绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究

	绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究
	海潮和; 毕津顺; 吴峻峰; 李瑞贞
刊名	电子器件
	2007
卷号	30 期号:1 页码:4,5_8
关键词	绝缘体上硅动态阈值浮体
ISSN号	1005-9490
英文摘要	基于绝缘体上硅技术，提出并研制动态阈值nMOSFETs结构．阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理．动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0V时的580mV动态变化到VBS=0．6V时的220mV，但是这种优势并没有以增加漏电流为代价．因此动态阈值nMOSFETs的驱动能力较之浮体nMOSFETs在低压情况下，更具有优势．工作电压为0．6V时，动态阈值nMOSFETs的驱动能力是浮体的25．5倍，0．7V时为12倍．而且浮体nMOSFETs中的浮体效应，诸如Kink效应，反常亚阈值斜率和击穿电压降低等，均被动态阈值nMOSFETs结构有效抑制．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1682]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	海潮和,毕津顺,吴峻峰,等. 绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究[J]. 电子器件,2007,30(1):4,5_8.
APA	海潮和,毕津顺,吴峻峰,&李瑞贞.(2007).绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究.电子器件,30(1),4,5_8.
MLA	海潮和,et al."绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究".电子器件 30.1(2007):4,5_8.