CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共41条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Characterization of periodicity fluctuations in ingan/gan mqws by the kinematical simulation of x-ray diffraction 期刊论文
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 4
作者:  Li,Yangfeng;  Die,Junhui;  Yan,Shen;  Deng,Zhen;  Ma,Ziguang
收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2019/05/09
Efficiency enhancement of InGaN/GaN multiple quantum wells with graphene layer 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 卷号: 119, 期号: 4, 页码: 1209
Deng, Z; Li, ZS; Jiang, Y; Ma, ZG; Fang, YT; Li, YF; Wang, WX; Jia, HQ; Chen, H
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/12/26
Improvement on InGaN-based light emitting diodes using p-GaN layer grown at low temperature in full N-2 environment 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2014, 卷号: 211, 期号: 5, 页码: 1175
Deng, Z; Jiang, Y; Zuo, P; Fang, YT; Ma, ZG; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/04/14
Improvement of light power and efficiency droop in GaN-based LEDs using graded InGaN hole reservoir layer 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2014, 卷号: 114, 期号: 4, 页码: 1055
Lu, TP; Ma, ZG; Du, CH; Fang, YT; Chen, FS; Jiang, Y; Wang, L; Jia, HQ; Chen, H
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/04/14
Improved Photoluminescence in InGaN/GaN Strained Quantum Wells 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 31, 期号: 7
Ding, LZ; Chen, H; He, M; Jiang, Y; Lu, TP; Deng, Z; Chen, FS; Yang, F; Yang, Q; Zhang, YL
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/04/14
Modulating emission intensity of GaN-based green light emitting diodes on c-plane sapphire 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 15
Du, CH; Ma, ZG; Zhou, JM; Lu, TP; Jiang, Y; Jia, HQ; Liu, WM; Chen, H
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/04/14
Effect of InxGa1-xN "continuously graded" buffer layer on InGaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10
Qian, WN; Su, SC; Chen, H; Ma, ZG; Zhu, KB; He, M; Lu, PY; Wang, G; Lu, TP; Du, CH; Wang, Q; Wu, WB; Zhang, WW
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2014/01/16
Transfer and recombination mechanism of carriers in phase-separated InGaN quantum wells 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 114, 期号: 9
Sun, H; Ji, ZW; Wang, HN; Xiao, HD; Qu, S; Xu, XG; Jin, AZ; Yang, HF
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/01/17
Influence of excitation power and temperature on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2012, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 3932
Wang, HN; Ji, ZW; Qu, S; Wang, G; Jiang, YZ; Liu, BL; Xu, XG; Mino, H
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17
具有应力调制结构的 InGaN/GaN 多量子阱发光特性的研究 学位论文
博士: 中国科学院物理研究所, 2011
王小丽
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/10/10

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace