题名 | 具有应力调制结构的 InGaN/GaN 多量子阱发光特性的研究 |
作者 | 王小丽 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2011 |
授予单位 | 中国科学院物理研究所 |
导师 | 陈弘 |
学位专业 | 凝聚态物理 |
索取号 | XW1692 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2013-10-10 |
页码 | 81 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/56231] |
专题 | 物理研究所_物理所学位论文_物理所学位论文_学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王小丽. 具有应力调制结构的 InGaN/GaN 多量子阱发光特性的研究[D]. 中国科学院物理研究所. 2011. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论