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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 单电子晶体管的数值模拟及特性分析 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 300-303,363 作者:  叶甜春;  张立辉;  李志刚;  刘明;  谢常青 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/26 单电子晶体管  正统理论  主方程方法   纳米电子器件及其集成 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 7-10 作者:  陈宝钦;  刘明;  谢常青;  王丛舜;  龙世兵 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26 自上而下的纳米加工  纳米器件  单电子器件  共振器件   室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 4，1871-1874 作者:  刘明;  王从舜;  谢常青;  易里成荣;  叶甜春 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/26 共振隧穿二极管  峰谷电流比  峰电流密度   反应离子刻蚀铝中nMOS器件的等离子充电损伤 期刊论文 电子工业专用设备, 2005, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 6，43-47,64 作者:  李俊峰;  杨建军;  钟兴华;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26 等离子充电损伤  栅隧穿漏电流  阈值vt漂移  亚阈值特性  天线比（ar）   超薄Si3N4／SiO2（N／O）stack栅介质及器件 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 5，115-119 作者:  林钢;  徐秋霞 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/26 超薄si3n4／sio2（n／o）stack栅介质  栅隧穿漏电流  Silc特性  栅介质寿命 Cmos器件   金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 5，1323-1327 作者:  张立辉;  李志刚;  康晓辉;  谢常青;  刘明 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/26 单电子晶体管  正统理论  库仑阻塞  量子隧穿