室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管

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	室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管
	刘明; 王从舜; 谢常青; 易里成荣; 叶甜春
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:10 页码:4，1871-1874
关键词	共振隧穿二极管峰谷电流比峰电流密度
ISSN号	0253-4177
英文摘要	在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs／GaAs／In0.1Ga0．9As／GaAs／AlAs双势垒共振隧穿二极管，在GaAs层中加入In0.1Ga0．9As层用以降低势垒两边的势阱深度，从而提高了器件的峰谷电流比和峰电流密度，为了减小器件的接触电阻和电流的非均匀性，使用了独特形状的集电极，总的电流密度也因此提高，薄栅也有助于提高器件的PVCR和峰电流密度，在室温下测得其峰谷电流比高达13．98，峰电流密度大于89kA／cm^2．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1126]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,王从舜,谢常青,等. 室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管[J]. 半导体学报,2005,26(10):4，1871-1874.
APA	刘明,王从舜,谢常青,易里成荣,&叶甜春.(2005).室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管.半导体学报,26(10),4，1871-1874.
MLA	刘明,et al."室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管".半导体学报 26.10(2005):4，1871-1874.