室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管 | |
刘明![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2005 | |
卷号 | 26期号:10页码:4,1871-1874 |
关键词 | 共振隧穿二极管 峰谷电流比 峰电流密度 |
ISSN号 | 0253-4177 |
英文摘要 | 在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,在GaAs层中加入In0.1Ga0.9As层用以降低势垒两边的势阱深度,从而提高了器件的峰谷电流比和峰电流密度,为了减小器件的接触电阻和电流的非均匀性,使用了独特形状的集电极,总的电流密度也因此提高,薄栅也有助于提高器件的PVCR和峰电流密度,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm^2. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1126] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,王从舜,谢常青,等. 室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管[J]. 半导体学报,2005,26(10):4,1871-1874. |
APA | 刘明,王从舜,谢常青,易里成荣,&叶甜春.(2005).室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管.半导体学报,26(10),4,1871-1874. |
MLA | 刘明,et al."室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管".半导体学报 26.10(2005):4,1871-1874. |
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