纳米电子器件及其集成

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	纳米电子器件及其集成
	陈宝钦; 刘明; 谢常青; 王丛舜; 龙世兵; 徐秋霞; 李志刚; 易里成荣; 涂德钰; 商立伟
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:增刊页码:7-10
关键词	自上而下的纳米加工纳米器件单电子器件共振器件
ISSN号	0253-4177
产权排序	1
英文摘要	对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1290]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈宝钦,刘明,谢常青,等. 纳米电子器件及其集成[J]. 半导体学报,2006,27(增刊):7-10.
APA	陈宝钦.,刘明.,谢常青.,王丛舜.,龙世兵.,...&商立伟.(2006).纳米电子器件及其集成.半导体学报,27(增刊),7-10.
MLA	陈宝钦,et al."纳米电子器件及其集成".半导体学报 27.增刊(2006):7-10.