纳米电子器件及其集成 | |
陈宝钦![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2006 | |
卷号 | 27期号:增刊页码:7-10 |
关键词 | 自上而下的纳米加工 纳米器件 单电子器件 共振器件 |
ISSN号 | 0253-4177 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1290] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈宝钦,刘明,谢常青,等. 纳米电子器件及其集成[J]. 半导体学报,2006,27(增刊):7-10. |
APA | 陈宝钦.,刘明.,谢常青.,王丛舜.,龙世兵.,...&商立伟.(2006).纳米电子器件及其集成.半导体学报,27(增刊),7-10. |
MLA | 陈宝钦,et al."纳米电子器件及其集成".半导体学报 27.增刊(2006):7-10. |
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