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科研机构
北京大学 [15]
内容类型
其他 [15]
发表日期
2016 [1]
2013 [1]
2012 [1]
2011 [1]
2010 [5]
2009 [2]
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A Simple Method to Decompose the Amplitudes of Different Random Variation Sources in FinFET Technology
其他
2016-01-01
Jiang, Xiaobo
;
Wang, Runsheng
;
Huang, Ru
;
Wang, Xingsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/12/03
LINE-EDGE ROUGHNESS
VARIABILITY
LWR
LER
Simulation of correlated line-edge roughness in multi-gate devices
其他
2013-01-01
Jiang, Xiaobo
;
Wang, Runsheng
;
Huang, Ru
;
Chen, Jiang
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Investigations on the Correlation between Line-edge-roughness (LER) and Line-width-roughness (LWR) in Nanoscale CMOS Technology
其他
2012-01-01
Jiang, Xiaobo
;
Li, Meng
;
Wang, Runsheng
;
Chen, Jiang
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
Simulation Study of Intrinsic Parameter Fluctuations in Variable-Body-Factor Silicon-on-Thin-Box Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
其他
2011-01-01
Yang, Yunxiang
;
Du, Gang
;
Han, Ruqi
;
Liu, Xiaoyan
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
THRESHOLD-VOLTAGE
SOI MOSFET
GROUND-PLANE
BURIED OXIDE
BIAS
LEAKAGE
DESIGN
New Observations of Suppressed Randomization in LER/LWR of Si Nanowire Transistors: Experiments and Mechanism Analysis
其他
2010-01-01
Wang, Runsheng
;
Yu, Tao
;
Huang, Ru
;
Ai, Yujie
;
Pu, Shuangshuang
;
Hao, Zhihua
;
Zhuge, Jing
;
Wang, Yangyuan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
CMOS TECHNOLOGY
SILICON
INTEGRATION
Variability in Nano-scale Intrinsic Silicon-on-Thin-Box MOSFETs (SOTB MOSFETs)
其他
2010-01-01
Yang, Yunxiang
;
Du, Gang
;
Han, Ruqi
;
Liu, Xiaoyan
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Intrinsic channel
SOTB
variability
intrinsic parameter fluctuations
ground plane
variability aware design
TCAD
THRESHOLD VOLTAGE
PARAMETER FLUCTUATIONS
SOI MOSFETS
DECANANOMETER
Simulation of Line-Edge Roughness Effects in Silicon Nanowire MOSFETs
其他
2010-01-01
Yu, Tao
;
Wang, Runsheng
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/13
CMOS TECHNOLOGY
INTEGRATION
PERFORMANCE
TRANSISTORS
Variability induced by line edge roughness in silicon on thin box (SOTB) MOSFETs
其他
2010-01-01
Yang, Yunxiang
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
Han, Ruqi
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/11/13
Investigation on the effective immunity to process induced line-edge roughness in silicon nanowire MOSFETs
其他
2010-01-01
Yu, Tao
;
Ding, Wei
;
Zhuge, Jing
;
Zhang, Liangliang
;
Wang, Runsheng
;
Ru, Huang
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
Triple-Gate Fin Field Effect Transistors with Fin-Thickness Optimization to Reduce the Impact of Fin Line Edge Roughness
其他
2009-01-01
Yu, Shimeng
;
Zhao, Yuning
;
Du, Gang
;
Kang, Jinfeng
;
Han, Ruqi
;
Liu, Xiaoyan
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
SIMULATION
DESIGN
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