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| 一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法 专利
专利号: CN110233427A, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13
作者: 蔡玮; 韩冰; 王新迪
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| 一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法 专利
专利号: CN110165551A, 申请日期: 2019-08-23, 公开日期: 2019-08-23
作者: 尚林; 许并社; 马淑芳; 单恒升; 郝晓东
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| 集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法 专利
专利号: CN108233181A, 申请日期: 2018-06-29, 公开日期: 2018-06-29
作者: 施政; 王永进; 张帅; 蒋元; 王帅
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| 一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN波导激光器及制备方法 专利
专利号: CN107768976A, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2018-03-06
作者: 王永进; 秦川; 倪曙煜
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| 集成电极电光调谐回音壁模式微腔的制备方法 专利
专利号: CN106374335A, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2017-02-01
作者: 程亚; 汪旻; 林锦添; 方致伟; 廖洋
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| 纳米柱/针森林结构的图形化加工方法 专利
专利号: CN201410609901.0, 申请日期: 2015-08-12, 公开日期: 2015-01-28
作者: 雷程; 欧文 ; 毛海央; 王岩; 唐力程
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| 基于聚焦离子束系统的He离子刻蚀制备石墨烯纳米带方法 专利
申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014-07-23
作者: 王权[1]; 邵盈[2]; 李允[3]; 任乃飞[4]; 祝俊[5]
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| 材料表面局部光谱测量装置及测量方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102519885A, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2014-01-20
作者: 刘争晖; 曾雄辉; 王建峰; 徐科; 钟海舰
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| 以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101521177, 申请日期: 2009-09-02, 公开日期: 2009-09-02
宋志棠; 吕士龙
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| 一种低功耗相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101488555, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22
吕士龙; 宋志棠; 刘波; 封松林
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