纳米柱/针森林结构的图形化加工方法

	纳米柱/针森林结构的图形化加工方法
	雷程; 欧文; 毛海央; 王岩; 唐力程
	2015-08-12
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410609901.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其包括如下步骤：a、清洗第一基片和第二基片；b、在上述的第二基片的下表面设置与第一基片材料相似的第一基片相似材料层，在第二基片上设置若干穿通结构，以形成镂空基片；c、将上述镂空基片粘结在第一基片的上表面，以在镂空基片的下表面与第一基片的上表面间形成刻蚀腔；d、利用镂空基片的穿通结构对第一基片的上表面进行刻蚀；e、将镂空基片从第一基片的上表面去除，以在第一基片上得到纳米柱/针森林结构。本发明能有效克服电子束光刻和聚焦离子束刻蚀技术在批量加工方面的限制，并可有效降低工艺复杂程度，实现具有可调控性的图形化纳米柱/针森林结构。
公开日期	2015-01-28
申请日期	2014-11-03
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/15318]
专题	微电子研究所_智能感知研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	雷程,欧文,毛海央,等. 纳米柱/针森林结构的图形化加工方法. CN201410609901.0. 2015-08-12.