集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法 | |
施政; 王永进; 张帅; 蒋元; 王帅 | |
2018-06-29 | |
著作权人 | 南京邮电大学 |
专利号 | CN108233181A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法,通过硅衬底剥离和悬空氮化物薄膜背后减薄技术,获得悬空量子阱二极管器件结构,并利用聚焦离子束刻蚀和电子束蒸镀技术形成集成于悬空InGaN/GaN量子阱二极管的谐振光栅微腔,实现集成谐振光栅微腔的电泵浦悬空GaN薄膜激光器,可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔,调控微腔结构,实现波长可调的悬空GaN薄膜激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。 |
公开日期 | 2018-06-29 |
申请日期 | 2017-12-28 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92218] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 南京邮电大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 施政,王永进,张帅,等. 集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法. CN108233181A. 2018-06-29. |
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