一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN波导激光器及制备方法 | |
王永进; 秦川; 倪曙煜 | |
2018-03-06 | |
著作权人 | 南京邮电大学 |
专利号 | CN107768976A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN波导激光器及制备方法 |
英文摘要 | 本发明提供了一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器及其制作方法,属于信息材料与器件领域。通过曝光技术和氮化物刻蚀工艺,在顶层氮化物器件层形成波导和量子阱二极管的集成。利用聚焦离子束刻蚀技术,在波导上加工谐振光栅微腔,形成微腔结构,获得集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器,可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔,调控微腔结构,实现波长可调的硅衬底GaN基波导激光器。本发明提出的激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。 |
公开日期 | 2018-03-06 |
申请日期 | 2017-10-23 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92172] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 南京邮电大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永进,秦川,倪曙煜. 一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN波导激光器及制备方法. CN107768976A. 2018-03-06. |
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