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| 一种脉冲宽度幅度自适应的阻变存储器写驱动电路 专利
专利号: CN201510217146.6, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2015-07-29
作者: 李智 ; 张锋; 鲁岩; 姚穆; 项中元
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| 2T纳米晶存储器阵列及其操作方法 专利
专利号: CN201210048730.X, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2013-09-11
作者: 王琴; 杨潇楠; 王永; 张满红; 霍宗亮
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| HEMT器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110364028.X, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2013-05-22
作者: 刘果果; 魏珂; 黄俊; 刘新宇
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| 一种T型栅HEMT器件及其制作方法 专利
专利号: CN201110340553.8, 申请日期: 2015-06-10, 公开日期: 2012-02-22
作者: 黄俊; 魏珂; 刘新宇; 刘果果
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| SOI MOS晶体管 专利
专利号: CN201210154443.7, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2012-09-19
作者: 罗家俊; 李莹; 毕津顺; 韩郑生
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| 一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法 专利
专利号: CN201010251514.6, 申请日期: 2014-03-12, 公开日期: 2012-03-14
作者: 刘明; 霍宗亮
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| 一种数据处理方法、数据查找方法及系统 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 石显锋; 陈岚; 郝晓冉; 王强
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| 功率半导体器件热阻测试装置 专利
专利号: CN203414568U, 申请日期: 2013-06-28, 公开日期: 2015-05-26
作者: 温景超; 陆江; 王立新
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| 一种采用单次电子束曝光制备T型栅的方法 专利
专利号: CN102509704A, 申请日期: 2012-06-20, 公开日期: 2012-06-20
作者: 王显泰; 钟英辉; 金智; 汪宁
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| 半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2012-03-29,
作者: 尹海洲; 蒋葳
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2017/06/30 |
