2T纳米晶存储器阵列及其操作方法

	2T纳米晶存储器阵列及其操作方法
	王琴; 杨潇楠; 王永; 张满红; 霍宗亮; 刘明
	2016-04-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210048730.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种2T纳米晶存储器阵列及其操作方法。该阵列包括2T纳米晶存储器、位线、源线、字线、选择晶体管字线、中间线和衬底，其中2T纳米晶存储器包括存储单元和选择晶体管。整个存储器阵列的衬底连接在一起，位线也连接在一起。本发明可以实现CHE编程方式的数据写入，相对于FN隧穿编程方式具有更大的存储窗口以及更好的编程可靠性。并且，由于本发明采用独立的纳米晶存储数据，因此可以防止由于某一点漏电而影响到存储器阵列整体的数据，从而提高存储器阵列的数据保持的稳定性。
公开日期	2013-09-11
申请日期	2012-02-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16585]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王琴,杨潇楠,王永,等. 2T纳米晶存储器阵列及其操作方法. CN201210048730.X. 2016-04-13.